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虽然用量和可控要求发展igbt，我们也做了很多努力，但当中还是有些问题需要主要考虑的：
1.igbt技能与工艺
我国的功率半导体技能包括芯片设计、制造和模块封装技能，目前都还处于起步阶段。功率半导体芯片技能研究一般采取“设计 代加工”模式，即由设计公司提出芯片设计方案，由国度内的一些集成电路公司代加工生产。
由于这些集成电路公司大多没有单独的功率器件生产线，只能利用现有的集成电路生产工艺完成芯片加工，所以设计生产的基本是一些低压芯片。与普通ic芯片相比，大功率器件有许多技能难题，如芯片的减薄工艺，背面工艺等。解决这些难题需要成熟的工艺技能，需要advanced的工艺设备，这些都是我国功率半导体产业发展过程中急需解决的问题。
从80年代初到现在igbt芯片体内结构设计有非穿通型(npt)、穿通型(pt)和弱穿通型(lpt)等类型，在改变igbt的开关性能和通态压降等性能上做了大量工作。但是把上述设计在工艺上实现却有相当大的难度。额外是薄片工艺和背面工艺。工艺上正面的绝缘钝化，背面的减薄，国度内做的均不是较好。
薄片工艺，特定耐压指标的igbt器件，芯片厚度也是特定的，需要减薄到200-100um，以至到80um，现在国度内可以将晶圆减薄到175um，再低就没有能力了。比如在100~200um的量级，当硅片磨薄到如此地步后，后续的加工处理就比较困难了，额外是对于8寸以上的大硅片，较易破碎，难度较大。
背面工艺，包括了背面离子注入，退火启动，背面金属化等工艺步骤，由于正面金属的熔点的限制，这些背面工艺须在不过450°c的温度下进行，退火这一步难度较大。背面注入以及退火，此工艺并不像想象的那么简单。国外某些公司可代加工，但是他们一旦与客户签订协议，就不会给中国客户代提供加工服务。
在模块封装技能方面，国度内基本掌握了传统的焊接式封装技能，其中中低压模块封装厂家较多，高电压模块封装主要集中在南车与北车两家公司。与国外公司相比，技能上的差距依然存在。国外公司基于传统封装相继研发出多种advanced封装技能，能够大升高模块的功率密度、散热性能与长期稳定性，并初步实现了商业应用。
高的端工艺开发人员比较缺乏，现有研发人员的设计水平有待升高。目前国度内没有系统掌握igbt制造工艺的人才。从国外advanced功率器件公司引进是捷径。但单单引进一个人很难掌握igbt制造的全流程，而要引进一个团队难度太大。国外igbt制造中许多技能是有保护。目前如果要从国外购买igbt设计和制造技能，还牵涉到好多方面的东西。
2.igbt工艺生产设备
国度内igbt工艺设备购买、配套比较困难。每道制作工艺都有自用设备配套。其中有的国度内没有，或技能水平达不到。如：德国的真空焊接机，能把芯片焊接空洞率control在低于1%，而国产设备空洞率高可达20%到50%。外国设备未必会卖给中国，例如薄片加工设备。
又如：日本产的表面喷砂设备，日本当局不准出口。好的入口设备价格比较贵，便宜设备又不适用。例如：自动化测试设备是不可少的，但价贵。如用手工测试代替，就会增加人为因素，测试数据误差大。igbt生产过程对环境要求比较苛刻。要求高的标准的空气净化系统，世界至好的高纯水处理系统。
要成功设计、制造igbt须有集产品设计、芯片制造、封装测试、稳定性试验、系统应用等成套技能的研究、开发及产品制造于一体的自动化、专注化、规模化程度当先的大功率igbt产业化基地。investment往往需高可达数十亿元人民币。
而为了推动国度内功率半导体的发展，针对我国当前功率半导体产业发展状况以及2016-2020年电力电子产业发展，中国宽禁带功率半导体及应用industry alliance、中国igbt技能革新与industry alliance、中国电器工业协会电力电子分会、北京电力电子学会共同发布《电力电子器件产业发展蓝皮书》（以下简称《蓝皮书》）。
《蓝皮书》指出，电力电子器件产业的焦点是电力电子芯片和封装的生产，但也离不开半导体和电子材料、关键零部件、制造设备、检测设备等产业的支撑，其发展既需要上游基础的材料产业的支持，又需要下游装置产业的拉动。
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