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集微网消息，英特尔在一项名为“自旋电子学”的领域取得了进展，未来芯片尺寸可缩小5倍，能耗至多可减低30倍。
英特尔和加州大学伯克利分校的研究人员展示了他们的“自旋电子学”方面的研究进展，这项新技能可以将未来的芯片尺寸缩小到目前的五分之一，能耗将减低10到30倍。
一直以来，芯片都依赖着cmos技能，但随着元器件尺寸不断接近原子级别大小，芯片的发展也遇到瓶颈。
英特尔的这项研究是一种名为“磁电自旋轨道”（meso）的逻辑元件，利用了多铁性材料的自旋性质，使用氧、铋和铁原子的晶格，提供有用的电磁属性以便外力可存储并读取信息。这种元件所需功率远小于cmos晶体管。
研究人员表示，由于这种元件不需要电就能保留信息，所以它们可以在设备闲置时提供比较节能的睡眠模式。
英特尔级别高的院士指出，“我们正在研究赶上cmos的信息时代的革新性和非进化性方法。meso以低压互连和低压磁电为基础。它将量子材料革新与计算结合在一起。我们对我们取得的进展感到比较兴奋，并期待着未来能进一步减低开关电压，发挥它比较大的后劲。”
英特尔元件研究机构项目负责人sasikanth manipatruni在一份声明中说，“我们在努力在产业和晶体管研究领域引发新一轮革新。”《自然》杂志星期一发表了这项研究论文，manipatruni是fist作者。
虽然实验原型显示出很不错结果，但该技能尚处于起步阶段。根据研究人员的说法，该技能需要进行较多的研究，商用化还有很长的路要走，至少还需要十年。
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