取消
igbt 的等效电路如图1 所示。由图1 可知,若在igbt 的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则mosfet 导通,这样pnp 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若igbt 的栅极和发射极之间电压为0v,则mosfet 截止,切断pnp 晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。
图1：igbt 的等效电路
由此可知,igbt 的全安靠谱与否主要由以下因素决定：
——igbt 栅极与发射极之间的电压;
——igbt 集电极与发射极之间的电压;
——流过igbt 集电极－发射极的电流;
——igbt 的结温。
如果igbt 栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则igbt 不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则igbt 可能久远性损坏;同样,如果加在igbt 集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压,流过igbt 集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的较大电流,igbt 的结温超过
其结温的允许值,igbt 都可能会久远性损坏。
绝缘栅极双极型晶体管（igbt）
igbt 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给pnp 晶体管提供基极电流，使igbt 导通。反之，加反向门极电压扫除沟道，流过反向基极电流，使igbt 关断。 igbt 的驱动方法和 mosfet 基本相同，只要control输入极n 一沟道mosfet，所以具有高输入阻抗特性。
当mosfet 的沟道形成后，从p 基极注入到n 一层的空穴（少子），对n 一层进行电导调制，减小n一层的电阻，使igbt 在高电压时，也具有低的通态电。
开通时的igbr的电流、电源波形
igbt 的工作特性包括静态和动态两类：
1 ．静态特性:igbt 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
igbt 的伏安特性是指以栅源电压ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系弧线。输出漏极电流比受栅源电压ugs 的control，ugs 越高，id 越大。它与gtr 的输出特性相似．也可分为饱和区 1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的igbt ，正向电压由j2 结承担，反向电压由j1 结承担。如果无n 缓冲区，则正反向隔断电压可以做到同样水平，加入n 缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了igbt 的某些应用范围。
igbt 的转移特性是指输出漏极电流id 与栅源电压ugs 之间的关系弧线。它与mosfet 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压ugs(th) 时，igbt 处于关断状态。在igbt 导通后的大部分漏极电流范围内，id 与ugs 呈线性关系。高栅源电压受较大漏极电流限制，其佳值一般取为15v 左右。
igbt 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。igbt 处于导通态时，由于它的pnp 晶体管为宽基区晶体管，所以其b 值较低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过mosfet 的电流成为igbt 总电流的主要部分。此时，通态电压 uds(on) 可用下式表示
uds(on) ＝ uj1 ＋ udr ＋ idroh
式中 uj1 —— ji 结的正向电压，其值为 0.7 ～ iv ；
udr ——扩展电阻 rdr 上的压降；
roh ——沟道电阻。
通态电流 ids 可用下式表示：
ids=(1 bpnp)imos
式中 imos ——流过 mosfet 的电流。
由于n 区存在电导调制效应，所以igbt 的通态压降小，耐压1000v 的igbt 通态压降为2～3v 。igbt 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
2 ．动态特性igbt 在开通过程中，大部分时间是作为mosfet 来运行的，只是在漏源电压uds下降过程后期， pnp 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延伸时间。td(on)为开通延伸时间，tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td(on)tri 之和。漏源电压的下降时间由
tfe1 和tfe2 组成，如图 2 － 58 所示
igbt 在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为 mosfet 关断后，pnp 晶体管的存储电荷难讯速扫除，造成漏极电流较长的尾部时间， td(off)为关断延伸时间， trv 为电压uds(f)的上升时间。
实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间tf 由上图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间
t(off)=td(off) trv 十 t(f) （ 2 － 16 ）
式中， td(off) 与 trv 之和又称为存储时间。
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